| 发明名称 | 一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构，包括：P型衬底上形成有有源区、P型膺埋层和浅沟槽隔离，浅沟槽隔离形成于P型膺埋层的上方，P型膺埋层和浅沟槽隔离位于有源区两侧，P型膺埋层与有源区相连；N型重掺杂区形成于有源区上方，多晶硅层形成于钱沟槽隔离区上方与N型重掺杂区相邻；N型重掺杂区和P型膺埋层分别通过接触孔引出连接金属连线。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构的制造方法。本发明的寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法能实现插入损耗在2dB以下，隔离度达到30dB以上。 | ||
| 申请公布号 | CN103107186A | 申请公布日期 | 2013.05.15 |
| 申请号 | CN201110355686.2 | 申请日期 | 2011.11.11 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 胡君;刘冬华;钱文生;段文婷;石晶 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种BiCMOS工艺中寄生N‑I‑P型PIN器件结构，其特征是，包括：P型衬底上形成有有源区、P型膺埋层和浅沟槽隔离，浅沟槽隔离形成于P型膺埋层的上方，P型膺埋层和浅沟槽隔离位于有源区两侧，P型膺埋层与有源区相连；N型重掺杂区形成于有源区上方，多晶硅层形成于钱沟槽隔离区上方与N型重掺杂区相邻；N型重掺杂区和P型膺埋层分别通过接触孔引出连接金属连线。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区上海浦东川桥路1188号 | ||