发明名称 |
用于对样品进行离子束去层的方法和系统及对其的控制 |
摘要 |
本发明提供了对离子束打磨机中的样品的层进行去层的方法、系统和计算机程序产品,所述层包括一种或多种材料,所述去层过程是通过调整离子束打磨机的一个或多个操作参数并且选择性地将上述一种或多种材料中的各材料按照它们各自的预定速率移除而实现的。本发明也提供了用于获得材料的移除速率的方法和系统,该材料来自离子束打磨机中的样品。 |
申请公布号 |
CN103107082A |
申请公布日期 |
2013.05.15 |
申请号 |
CN201210450966.6 |
申请日期 |
2012.11.12 |
申请人 |
英赛特半导体有限公司 |
发明人 |
罗伯特·K·福斯特;克里斯托弗·帕沃夫伊兹;贾森·阿布特;伊恩·琼斯;海因茨·约瑟夫·内特威切 |
分类号 |
H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01)I |
代理机构 |
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 |
代理人 |
陈桂香;褚海英 |
主权项 |
一种使用离子束打磨机对样品的层进行去层的方法,其中,所述层包括一种或多种材料,所述方法包括如下各步骤:a)将所述样品置于所述离子束打磨机中;b)操纵所述离子束打磨机;c)调整所述离子束打磨机的一个或多个操作特性;以及d)选择性地将所述一种或多种材料中的各材料按照各自的预定速率移除。 |
地址 |
加拿大安大略省 |