具有穿透衬底的通孔的集成电路

摘要

一种穿透衬底的通孔（TSV）芯片（200），其包括多个TSV（216），TSV（216）包括外部介电套管（221）和内部金属芯（220）以及凸出的TSV末端（217），凸出的TSV末端端部（217）包括从TSV管芯出现的侧壁。横向于凸出的TSV末端的钝化层（231）在凸出的TSV末端的侧壁的一部分上。在凸出的TSV末端的远侧部分缺少钝化层，从而提供内部金属芯的暴露部分。TSV末端包括球状远侧末端端部（217（a）），其包括第一金属层（241）和第二金属层（242），第一金属层（241）包括除焊料之外的第一金属，并且第二金属层（242）包括覆盖暴露末端部分的除焊料之外的第二金属。球状远侧末端端部覆盖TSV侧壁的一部分并在外部介电套管的最顶表面上方，并具有比在球状远侧末端端部下面的凸出的TSV末端的横截面积大≥25%的最大横截面积。

主权项

一种形成穿透硅通孔管芯的方法，包含：在TSV的凸出的TSV末端的远侧部分上镀覆除焊料之外的第一金属层，所述TSV包括侧壁并包含外部介电套管和内部金属芯；以及在所述第一金属层上镀覆不同于所述第一金属层的除焊料之外的第二金属层；其中所述第一金属层和所述第二金属层一起为所述凸出的TSV末端提供覆盖所述TSV侧壁的一部分和所述外部介电套管的最顶表面的球状远侧末端端部，所述球状远侧末端端部具有比在所述球状远侧末端端部下面的所述凸出的TSV末端的横截面积大≥25%的横截面积。