| 发明名称 | 非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法，所述非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法包括：提供基板；在所述基板上表面形成SiGe虚拟衬底；在所述SiGe虚拟衬底表面形成第一掺杂类型微晶硅层，所述第一掺杂类型微晶硅层受到应力作用；在所述第一掺杂类型微晶硅层表面形成本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层表面形成第二掺杂类型非晶硅层；在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成抗反射层；在所述抗反射层表面形成第一电极，在所述基板下表面形成第二电极。所述非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法能够提高非晶硅薄膜太阳能电池的效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103107227A | 申请公布日期 | 2013.05.15 |
| 申请号 | CN201210531450.4 | 申请日期 | 2012.12.06 |
| 申请人 | 杭州赛昂电力有限公司 | 发明人 | 杨瑞鹏;韩启成;刘祥超;吴佩莲;杨振凯 |
| 分类号 | H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0376(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/075(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上表面形成SiGe虚拟衬底；在所述SiGe虚拟衬底表面形成第一掺杂类型微晶硅层，所述第一掺杂类型微晶硅层受到应力作用；在所述第一掺杂类型微晶硅层表面形成本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层表面形成第二掺杂类型非晶硅层；在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成抗反射层；在所述抗反射层表面形成第一电极，在所述基板下表面形成第二电极。 | ||
| 地址 | 311215 浙江省杭州市萧山江东新城开发区江东二路2728号 | ||