一种LED外延片生长方法

摘要

一种LED外延片生长方法，在生长N型掺杂Si的GaN层时，采用掺杂Si的N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层交替生长方法。该生长方法保持原来N型GaN层的厚度，将传统生长方法持续生长的掺杂Si的GaN层改进为生长掺杂Si的N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层构成的交替结构层，在一定程度上节约掺杂剂的用量。并且，在生长掺杂Si的GaN层和不掺杂Si的GaN层的交替结构中，掺杂Si的GaN层为低电阻值，而不掺杂Si的GaN层为高电阻值，高、低电阻值N型GaN层在电流输送过程中，使得电子横向扩展能力加强，从而降低了驱动电压，同时提升了亮度和光效。

主权项

一种LED外延片生长方法，其特征在于，在衬底上，依次生长低温GaN缓冲层，不掺杂Si的GaN层，掺杂Si的GaN层，量子阱MWQ，P型AlGaN层和掺杂Mg的P型GaN层，其中所述生长掺杂Si的GaN层包括以下步骤：1）生长掺杂Si的第一N型GaN层；2）生长掺杂Si的第二N型GaN层；3）生长掺杂Si的第三N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层的交替层。