| 发明名称 | 单晶硅太阳能电池及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种单晶硅太阳能电池及其制作方法，所述单晶硅太阳能电池的制作方法包括：提供基片；在所述基片的上表面形成SiGe虚拟衬底；在所述SiGe虚拟衬底上形成第二掺杂类型单晶硅层；在所述第二掺杂类型单晶硅层表面形成应力层，所述应力层的应力类型与第二掺杂类型单晶硅层的掺杂类型相对应；在所述应力层表面形成第一电极；在所述基片的下表面形成第二电极。所述单晶硅太阳能电池的制作方法能够有效提高单晶硅太阳能电池中载流子的迁移率，提高单晶硅太阳能电池的转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103107238A | 申请公布日期 | 2013.05.15 |
| 申请号 | CN201210529857.3 | 申请日期 | 2012.12.06 |
| 申请人 | 杭州赛昂电力有限公司 | 发明人 | 杨瑞鹏;张开军;付建明;温显 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0312(2006.01)I;H01L31/077(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种单晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供基片，所述基片为第一掺杂类型单晶硅片；在所述基片的上表面形成SiGe虚拟衬底；在所述SiGe虚拟衬底上形成第二掺杂类型单晶硅层，所述第二掺杂类型单晶硅层受到双轴应力；在所述第二掺杂类型单晶硅层表面形成应力层，所述应力层的应力类型与第二掺杂类型单晶硅层的掺杂类型相对应；在所述应力层表面形成第一电极；在所述基片的下表面形成第二电极。 | ||
| 地址 | 311215 浙江省杭州市萧山江东新城开发区江东二路2728号 | ||