| 发明名称 | 硅片共晶键合方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种硅片共晶键合方法，包括：第一步骤：在第一待键合硅片的表面沉积第一金属层，在第二待键合硅片的表面沉积第二金属层；第二步骤：将第一待键合硅片和第二待键合硅片分别布置在第一加热板和第二加热板上；第三步骤：在第一待键合硅片与第二待键合硅片对齐的情况下，使所述第一加热板和所述第二加热板相对挤压并且加热，同时在所述第一加热板和所述第二加热板之间施加超声波，从而使得第一待键合硅片的表面上的所述第一金属层与第二待键合硅片的表面上的所述第二金属层相互熔融，从而使得第一待键合硅片与第二待键合硅片键合在一起。 | ||
| 申请公布号 | CN103107069A | 申请公布日期 | 2013.05.15 |
| 申请号 | CN201310041618.8 | 申请日期 | 2013.02.01 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 傅荣颢;冯凯 |
| 分类号 | H01L21/18(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种硅片共晶键合方法，其特征在于包括：第一步骤：在第一待键合硅片的表面沉积第一金属层，在第二待键合硅片的表面沉积第二金属层；第二步骤：将第一待键合硅片和第二待键合硅片分别布置在第一加热板和第二加热板上；第三步骤：在第一待键合硅片与第二待键合硅片对齐的情况下，使所述第一加热板和所述第二加热板相对挤压并且加热，同时在所述第一加热板和所述第二加热板之间施加超声波，从而使得第一待键合硅片的表面上的所述第一金属层与第二待键合硅片的表面上的所述第二金属层相互熔融，从而使得第一待键合硅片与第二待键合硅片键合在一起。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||