发明名称 晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法
摘要 一种晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法,包括以下步骤:步骤1:取一外延片;步骤2:在外延片上制备发光二极管单元模组,形成发光二极管阵列,该发光二极管单元模组包括多个发光二极管;步骤3:在发光二极管单元模组中的发光二极管上涂覆荧光粉,通过发光二极管激发荧光粉产生不同波长的光达到对该发光二极管的输出光色进行调整;步骤4:取一基板;步骤5:将制备有发光二极管阵列的外延片依次固定在基板上,并与基板形成电性连接,完成结构的制备。本方法可整合发光二极管的制备工艺和芯片封装工艺,具有简化工艺路径,降低工艺成本。可以通过工艺对发光二极管的尺寸和间距进行精确控制。
申请公布号 CN103107250A 申请公布日期 2013.05.15
申请号 CN201310045572.7 申请日期 2013.02.05
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 杨华;薛斌;于飞;谢海忠;卢鹏志;李璟;伊晓燕;王军喜;李晋闽
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L33/50(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汤保平
主权项 一种晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法,包括以下步骤: 步骤1:取一外延片; 步骤2:在外延片上制备发光二极管单元模组,形成发光二极管阵列,该发光二极管单元模组包括多个发光二极管; 步骤3:在发光二极管单元模组中的发光二极管上涂覆荧光粉,通过发光二极管激发荧光粉产生不同波长的光达到对该发光二极管的输出光色进行调整; 步骤4:取一基板; 步骤5:将制备有发光二极管阵列的外延片依次固定在基板上,并与基板形成电性连接,完成结构的制备。
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
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