发明名称 |
一种薄膜太阳能电池及其制作方法 |
摘要 |
一种薄膜太阳能电及其制作方法,属于太阳能利用技术领域,解决现有薄膜太阳能电池的陷光效率低或成本高的问题。本发明薄膜太阳能电池片,由衬底层、光吸收层和覆盖层构成,覆盖层上表面或衬底层下表面、或者覆盖层上表面和衬底层下表面随机分布多个纳米孔或多个纳米柱。本发明第一种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、多孔氧化铝膜加载、一次刻蚀、二次刻蚀、去除掩膜步骤;本发明第二种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、防粘处理、纳米压印、刻蚀步骤;本发明第三种制作方法包括镀铝、硅基多孔氧化铝膜制作、硅刻蚀、去除掩膜、防粘处理、纳米压印、薄膜太阳能电池片刻蚀步骤。本发明结构简单、效果显著、制作成本低、制作效率高,适合工业化量产。 |
申请公布号 |
CN103107217A |
申请公布日期 |
2013.05.15 |
申请号 |
CN201310012874.4 |
申请日期 |
2013.01.14 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
王智浩;刘文;左强;孙堂友;官成钢;徐智谋;赵彦立 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
华中科技大学专利中心 42201 |
代理人 |
方放 |
主权项 |
一种薄膜太阳能电池片,自下而上由衬底层、光吸收层和覆盖层构成,其特征在于:所述覆盖层上表面或衬底层下表面随机分布多个纳米孔或多个纳米柱,或者所述覆盖层上表面和衬底层下表面均随机分布多个纳米孔或多个纳米柱;所述纳米孔孔径或纳米柱柱径为40nm~300nm,纳米孔之间的孔距或纳米柱之间的柱距为80nm~400nm;所述多个纳米孔或多个纳米柱基于多孔氧化铝的原始图形,采用电感耦合等离子体反应离子刻蚀图形转移工艺而制得;或者结合纳米压印和电感耦合等离子体反应离子刻蚀图形转移工艺而制得。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区珞瑜路1037号 |