| 发明名称 | 阵列基板及其制造方法和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示装置，涉及通过4次Mask制作阵列基板的工艺方法。阵列基板制造方法，包括公共电极层、栅金属层、半导体层层、源漏电极层、钝化层及像素电极层的制作过程；其中，所述钝化层和所述像素电极层通过一次构图工艺制作。本发明提供的阵列基板制造方法，省略了一次掩膜版的使用，降低了生产成本。本发明适用于ADS模式阵列基板的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN103107133A | 申请公布日期 | 2013.05.15 |
| 申请号 | CN201310002104.1 | 申请日期 | 2013.01.04 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 | 发明人 | 陈华斌;王琳琳;高英强;袁剑峰 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种阵列基板制造方法，其特征在于，包括公共电极层、栅金属层、半导体层、源漏电极层、钝化层及像素电极层的制作过程；其中，所述钝化层和所述像素电极通过一次构图工艺形成。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||