多芯片组件同质键合系统质量一致性改进方法

摘要

本发明公开了多芯片组件同质键合系统质量一致性改进方法，该方法在原有工艺的厚膜电阻修调并测试完毕后，增加金厚膜键合区表面局部化学机械抛光工艺，具体是：选择贵金属抛光液，通过局部抛光机对每个键合区进行抛光，使其表面平整度≤0.1μm；然后用机械掩模方法，在高真空溅射台或蒸发台中，在键合区表面形成一层铝薄膜、或镍-铬-铝或铬-铜-铝复合薄膜；最后，按常规混合集成电路集成工艺，将半导体芯片和片式元器件集成在成膜基片上，半导体芯片的键合采用硅-铝丝键合，管脚与基片之间采用金丝键合，实现质量一致性好、可靠性高的金-金、铝-铝同质键合。此类器件应用领域广泛，特别适用于大功率、高可靠、宇航级等领域。

主权项

一种多芯片组件同质键合系统质量一致性改进方法，其特征在于该方法从提高每个同质键合系统质量一致性的角度出发，采用对每个键合区逐个局部化学机械抛光的方法来实现的，具体做法是：选择合适的贵金属抛光液，通过局部抛光机对每个键合区进行抛光，使其表面平整度≤0.1μm，之后采用机械掩模的方法，在高真空溅射台或蒸发台中，在已抛光的键合区表面形成一层铝薄膜、镍‑铬‑铝或铬‑铜‑铝复合薄膜；最后，按常规混合集成电路集成工艺，将半导体芯片和片式元器件集成在处理后的成膜基片上，半导体芯片的键合采用硅‑铝丝键合，管脚与基片之间采用金丝键合，即可实现质量一致性好、可靠性高的金‑金、铝‑铝同质键合。