静态随机存取内存宏及用以操作其的方法

摘要

本发明揭露一种静态随机存取内存(static random access memory，SRAM)宏及用以操作其的方法，静态随机存取内存宏包含：一第一电源电压；和一第二电源电压，其不同于该第一电源电压。一预充电控制器，其连接至该第二电源电压。该预充电控制器通过一位线预充电器耦接至一位线。至少一位准位移器接收一位准位移输入。该位准位移器将该位准位移器输入转换成一位准位移器输出，其中该位准位移器输入有一输入电压位准，其相较于该第二电源电压，该输入电压位准较接近该第一电源电压；及该位准位移器输出有一输出电压位准，其相较于该第一电源电压，该输出电压位准较接近该第二电源电压。该位准位移器输出被提供至该预充电控制器。

主权项

一种静态随机存取内存宏，其特征在于，包含：一第一电源电压；一第二电源电压，其不同于该第一电源电压；一预充电控制器，其连接至该第二电源电压，该预充电控制器通过一位线预充电器耦接至一位线；一字线驱动器，其连接至该第二电源电压，其中该字线驱动器包含至少一第一PMOS晶体管；及至少一位准位移器，其中该至少一位准位移器经调适以：（a）接收一输入电压，相较于该第二电源电压，该输入电压较接近该第一电源电压，（b）将该输入电压转换为一位准位移器输出，其具有一输出电压，相较于该第一电源电压，该输出电压较接近该第二电源电压，及（c）提供该位准位移器输出至该预充电控制器以及给该字线驱动器该至少一第一PMOS晶体管的栅极。