一种氮化镓基半导体发光器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓基半导体发光器件的制造方法。本发明通过变更不同的蒸镀条件得到ITO层的粗化，破坏了光子在经过ITO与空气界面时发生的发射现象，增加了光子逃出器件表面的几率，提高了发光效率。另一方面，本发明直接在蒸镀ITO层的过程中控制蒸镀条件，形成粗化的ITO层，无需另外进行粗化的步骤，制作工艺与常规工艺相差无几，过程极简单、易于控制，成本低，便于产业化生产。

主权项

1.一种氮化镓基半导体发光器件的制造方法，包含如下步骤：(1)在半导体衬底上依次生长GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层、P-GaN层；(2)采用电子束蒸镀法在P-GaN层上蒸镀一层厚度为100~500Å的粗糙ITO层，提高蒸镀温度或者降低蒸镀率，在粗糙ITO层表面上继续蒸镀厚度为1400~3000Å的结晶度优于所述粗糙ITO层的ITO层，形成表面具有突起的ITO层。