发明名称 用于形成空穴注入传输层的含过渡金属的纳米粒子及其制造方法
摘要 本发明是用于形成空穴注入传输层的含过渡金属的纳米粒子及其制造方法。提供一种制造工艺简单且可以实现长寿命的器件。所述器件的特征在于,具有在基板上对置的2个以上电极和配置在其中的2个电极间的空穴注入传输层,所述空穴注入传输层含有含过渡金属的纳米粒子,所述含过渡金属的纳米粒子包含至少含过渡金属氧化物的过渡金属化合物及过渡金属和保护剂,或者包含至少含过渡金属氧化物的过渡金属化合物和保护剂。
申请公布号 CN103107289A 申请公布日期 2013.05.15
申请号 CN201310049424.2 申请日期 2009.04.28
申请人 大日本印刷株式会社 发明人 上野滋弘;桥本庆介;冈田政人;武诚司;田口洋介;加纳正隆;藤本慎也
分类号 H01L51/50(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 张宝荣
主权项 1.一种用于形成空穴注入传输层的含过渡金属的纳米粒子,其特征在于,其是包含至少包括过渡金属氧化物的过渡金属化合物及过渡金属和保护剂的纳米粒子,或者是包含至少包括过渡金属氧化物的过渡金属化合物和保护剂的纳米粒子,所述含过渡金属的纳米粒子通过在粒子表面附着保护该表面的保护剂而形成,该保护剂是1分子中在有机基团的末端具有1个连结基的结构,所述连结基起到与选自所述过渡金属和过渡金属化合物中的至少一种连结的作用,所述有机基团是从下述结构中选择的一种以上:碳数为4~30的直链或支化的饱和或不饱和烷基,以及苯、三苯胺、芴、联苯基、芘、蒽、咔唑、苯基吡啶、三噻吩、苯基噁二唑、苯并三唑、苯并咪唑、苯基三嗪、苯并噻嗪、苯基喹喔啉、亚苯基亚乙烯基、苯基硅杂环戊二烯及这些结构的组合,这些基团不具有取代基或者具有碳数为1~20的直链或支化的烷基、卤原子、碳数为1~20的烷氧基、氰基、硝基作为取代基,并且所述连结基为选自羟基、磺酸基、磺酰胺基、下述(1a)~(1l)所示的官能团中的1种以上,<img file="FDA00002830702200021.GIF" wi="1603" he="1149" />式中,Z<sub>1</sub>、Z<sub>2</sub>及Z<sub>3</sub>分别独立地表示卤素原子或烷氧基。
地址 日本国东京都