一种基于GaN-Ga₂O₃核壳结构纳米线半导体气敏材料

摘要

一种基于GaN-Ga2O3核壳结构纳米线半导体气敏材料，属于电子气敏器件技术领域。其特征是：将直径为50-500 nm的GaN纳米线的表面层高温氧化为一层厚度为5-20nm的Ga2O3，得到具有核壳结构GaN-Ga2O3的纳米线半导体气敏材料，该半导体气敏材料可以用于检测O2，H2，H2S，氮氧化物，各种碳氢化合物气体以及氨气等神经元有害气体。本发明的效果和益处是：载体核纳米线尺寸易于制备，而外层氧化获得的Ga2O3敏感材料厚度为5-20nm，接近德拜耗尽层的尺寸，从而获得对气体响应的高灵敏度，解决了直接制备直径为5-20nm Ga2O3纳米线的技术问题，进一步降低制备费用，节省成本。

主权项

一种基于GaN‑Ga2O3核壳结构纳米线半导体气敏材料，其特征是：将直径为50‑500 nm的GaN纳米线的表面层高温氧化为一层厚度为5‑20nm的Ga2O3，得到具有核壳结构GaN‑Ga2O3的纳米线半导体气敏材料。