| 发明名称 | 一种LED外延片 | ||
| 摘要 | 一种LED外延片，其结构依次包括衬底、GaN缓冲层、非掺杂GaN层、掺杂Si的N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、P型AlGaN层以及掺杂Mg的P型GaN层。其中掺杂Si的N型GaN层依次包括掺杂Si的第一N型GaN层、掺杂Si的第二N型GaN层以及至少一个由掺杂Si的第三N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层构成的交替结构层。该结构节约了掺杂剂的用量，降低了驱动电压，并且提升了亮度和光效。 | ||
| 申请公布号 | CN103107256A | 申请公布日期 | 2013.05.15 |
| 申请号 | CN201210563127.5 | 申请日期 | 2012.12.21 |
| 申请人 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发明人 | 张宇 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 吴大建;刘华联 |
| 主权项 | 一种LED外延片，依次包括衬底、GaN缓冲层、非掺杂GaN层、掺杂Si的N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、P型AlGaN层以及掺杂Mg的P型GaN层，其特征在于，所述掺杂Si的N型GaN层依次包括掺杂Si的第一N型GaN层、掺杂Si的第二N型GaN层以及至少一个由掺杂Si的第三N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层构成的交替结构层。 | ||
| 地址 | 423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园 | ||