坩埚的喷涂工艺

摘要

本发明涉及一种坩埚的喷涂工艺，包括以下步骤：1)在喷涂加热设备的一个底面和四个侧面分别使用独立的加热控制器和限温控制器，调整出不同的升温曲线，保持喷涂过程中坩埚的恒温；2)对坩埚的一个底面和四个侧面使用不同的喷涂工艺，在喷涂的一个循环中，坩埚的底面只喷涂一遍，坩埚的每个侧面均喷涂两遍。本发明结合分析现多晶喷涂设备的差异性，硅料熔化及长晶对涂层的影响，完全改变现国内外的喷涂设备加热方式和喷涂工艺，从根本上解决了长久以来DSS450晶锭合格率低于DSS240，晶锭裂纹比例高于DSS240等问题，同时为硅片开方产能的提高打下了基础。

主权项

一种坩埚的喷涂工艺，其特征在于包括以下步骤：1)在喷涂加热设备的一个底面和四个侧面分别使用独立的加热控制器和限温控制器，调整出不同的升温曲线，保持喷涂过程中坩埚的恒温；2)对坩埚的一个底面和四个侧面使用不同的喷涂工艺，在喷涂的一个循环中，坩埚的底面只喷涂一遍，坩埚的每个侧面均喷涂两遍。