氮化物类半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种氮化物类半导体元件及其制造方法。氮化物类半导体发光元件(100)具备：以m面(12)作为表面的GaN类基板(10)、在GaN类基板(10)的m面(12)之上形成的半导体层叠构造(20)、和在半导体层叠构造(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Mg层(32)，Mg层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面相接触。

主权项

一种氮化物类半导体元件，具备：氮化物类半导体层叠构造，其具有表面为m面的p型半导体区域；和电极，其设置在所述p型半导体区域上，所述p型半导体区域由AlxInyGazN半导体形成，其中，x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0，所述电极包括与所述p型半导体区域的所述表面相接触的Mg层，所述Mg层中的Ga浓度比所述Mg层中的氮浓度高，所述电极包括：所述Mg层；和在所述Mg层之上形成的金属层，所述金属层由从Pt、Mo以及Pd所构成的组中选择的至少1种金属形成。