发明名称 N型金刚石半导体单晶及其生产方法
摘要 本发明涉及一种N型半导体金刚石单晶及其生产方法。在晶体内含有规则排列的氮、锂和铍原子,其中氮-锂原子对、氮-铍原子对和锂-氮-铍原子对的总量在100-10000ppm之间,半导体单晶的尺寸为0.3-10mm,晶体为正六面体、正八面体或六-八面体。生产时将石墨粉、金属催化剂、氮化锂、氮化铍按比例混合,加压到100-300MPa冷等静压处理,泄压后将混合料破碎后放入模具中压制成圆柱形合成柱,真空烧结,装入合成块,在高温高压定向磁场中处理;将合成柱破碎,经电解、摇床分离,得到N型半导体金刚石单晶。本发明单晶导电性较好,光热转换效率高,适合于太阳能电池、LED光源、高性能芯片的制作,产品性能稳定。
申请公布号 CN103103609A 申请公布日期 2013.05.15
申请号 CN201310068141.2 申请日期 2013.03.05
申请人 黄美玲 发明人 黄美玲
分类号 C30B29/04(2006.01)I;C30B1/12(2006.01)I;B01J3/06(2006.01)I 主分类号 C30B29/04(2006.01)I
代理机构 郑州金成知识产权事务所(普通合伙) 41121 代理人 郭增欣
主权项 一种N型金刚石半导体单晶,其特征是:在所述N型金刚石半导体晶体内含有规则排列替代碳原子的氮原子、锂原子、铍原子,其中氮‑锂原子对、氮‑铍原子对和锂‑氮‑铍原子对的总量在100‑10000ppm之间,所述N型金刚石半导体单晶的尺寸为0.3‑10mm,晶体形状为完整的正六面体、正八面体或六‑八面体。
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