图案化碳纳米管器件中的接触

摘要

本发明涉及图形化碳纳米管中的接触。更具体而言，涉及一种结构，其包括具有布置在表面之上的碳纳米管（CNT）的衬底。CNT部分地布置在保护性电绝缘层中。该结构还包括布置在衬底之上的栅极堆。CNT的没有被保护性电绝缘层覆盖的长度的第一部分穿过栅极堆。源极接触和漏极接触与栅极堆相邻布置，其中CNT的没有被保护性电绝缘层覆盖的长度的第二部分和第三部分导电耦合到源极接触和漏极接触。栅极堆及源极接触与漏极接触包含在保护性电绝缘层中并且包含在布置在保护性电绝缘层之上的电绝缘有机平面化层中。还描述了一种制造基于CNT的晶体管的方法。

主权项

一种结构，包括：衬底，在所述衬底的表面之上布置有碳纳米管，所述碳纳米管部分地布置在保护性电绝缘层中；栅极堆，布置在所述衬底之上，其中所述碳纳米管的没有被所述保护性电绝缘层覆盖的长度的第一部分穿过所述栅极堆，而且其中所述长度的第一部分限定沟道；源极接触，与所述栅极堆的第一侧相邻布置，其中所述碳纳米管的没有被所述保护性电绝缘层覆盖的长度的第二部分导电耦合到所述源极接触；及漏极接触，与所述栅极堆的第二相对侧相邻布置，其中所述碳纳米管的没有被所述保护性电绝缘层覆盖的长度的第三部分导电耦合到所述漏极接触，其中所述栅极堆、所述源极接触和所述漏极接触包含在所述保护性电绝缘层中并且包含在布置在所述保护性电绝缘层之上的电绝缘有机平面化层中。