发明名称 像素电极结构
摘要 本发明提供了一种像素电极结构,包括:条状的水平主干和条状的竖直主干,所述水平主干与所述竖直主干的中心垂直相交;由所述水平主干与所述竖直主干中心垂直相交所均分而成的四个区域中,分别具有多个条状分支,所述多个条状分支相对于竖直主干与水平主干垂直相交的中心点向外发散,所述多个条状分支间隔有多条缝隙;所述水平主干与竖直主干中心垂直相交的中心区域内还设置有两个中心对称的多边形或扇形切口。应用本发明的像素电极结构,液晶显示面板的亮区较大,穿透率较高,显示效果好。
申请公布号 CN102236218B 申请公布日期 2013.05.15
申请号 CN201110150608.9 申请日期 2011.06.07
申请人 深圳市华星光电技术有限公司;上海天马微电子有限公司 发明人 张鑫
分类号 G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/139(2006.01)I 主分类号 G02F1/1343(2006.01)I
代理机构 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人 郝传鑫;潘中毅
主权项 一种像素电极结构,包括:条状的水平主干和条状的竖直主干,所述水平主干与所述竖直主干的中心垂直相交;由所述水平主干与所述竖直主干中心垂直相交所均分而成的四个区域中,分别具有多个条状分支,所述多个条状分支相对于竖直主干与水平主干垂直相交的中心点向外发散,所述多个条状分支间隔有多条缝隙;其特征在于,所述水平主干与竖直主干中心垂直相交的中心区域内还设置有两个中心对称的切口。
地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
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