一种锑化铟红外焦平面阵列探测器芯片及其制造方法

摘要

一种锑化铟红外焦平面阵列探测器芯片，其包括减反膜[6]、低温胶[7]、锑化铟光敏阵列[8]、硅读出电路[9]、铟柱[10]、锑化铟衬底[11]。其中，所述锑化铟光敏阵列[8]背面设置有减反膜[6]，其正面设置有铟柱[10]。所述铟柱[10]另一端与硅读出电路[9]相连，该硅读出电路[9]背面设置有锑化铟衬底[11]，且锑化铟光敏阵列[8]、硅读出电路[9]和铟柱[10]之间的空隙内设置有低温胶[7]。本发明锑化铟红外焦平面阵列探测器芯片内锑化铟光敏阵列与硅读出电路达到热匹配，减少应变，使锑化铟红外焦平面阵列探测器具有较高的可靠度。另外本发明提供了所述锑化铟红外焦平面阵列探测器芯片的制造方法。

主权项

一种锑化铟红外焦平面阵列探测器芯片，其特征在于：包括减反膜[6]、低温胶[7]、锑化铟光敏阵列[8]、硅读出电路[9]、铟柱[10]、锑化铟衬底[11]，其中，所述锑化铟光敏阵列[8]背面设置有减反膜[6]，其正面设置有铟柱[10]；所述铟柱[10]另一端与硅读出电路[9]相连，所述硅读出电路[9]背面设置有锑化铟衬底[11]，且所述锑化铟光敏阵列[8]、硅读出电路[9]和铟柱[10]之间的空隙内设置有低温胶[7]。