| 发明名称 |
Method of making a semiconductor device having trenches |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1403914(B1) |
申请公布日期 |
2013.05.15 |
| 申请号 |
EP20030021474 |
申请日期 |
2003.09.23 |
| 申请人 |
VISHAY-SILICONIX |
发明人 |
XU, ROBERT Q.;KOREC, JACEK |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/60;H01L27/04;H01L29/06;H01L29/40 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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