| 摘要 |
<p>본 발명은 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 수직으로 적층된 복수개의 스트링선택라인들을 구비함으로써, 각 층을 기존 낸드 동작 방식으로 구동할 수 있어 주변회로와의 호환성을 높일 수 있게 되었고, 층 선택을 위한 추가면적을 최소화시킬 수 있게 된 효과가 있으며, 반도체 기판으로부터 적층매개층을 이용한 에피텍시로 성장시킨 단결정반도체층으로 액티브라인을 형성하고, 수평 및 수직 이격 거리를 공정상 얼마든지 조절 가능하므로, 용이하게 수직으로 적층된 스트링선택라인들을 형성할 수 있는 효과도 있다.</p> |
