一种倒装芯片的半导体器件

摘要

本发明一般涉及一种功率半导体器件及其制备方法，更确切的说，本发明旨在提供集成有多个MOSFET和一个控制IC的倒装芯片的半导体器件。本发明所提供的半导体器件所包含的芯片与基座之间保持有较大的空隙，所以在塑封工艺中不易在塑封料中产生空洞，能极大的提高完成塑封后的半导体器件的可靠性。并且，连接在一起的第一芯片安装区和第二芯片安装区共同构成具有较大面积的基座，从而作为芯片的载体，基座通过SMT技术焊接在PCB板上所设置的散热盘上，作为一个高效的散热途径，有效提高了功率半导体器件的散热效果。

主权项

一种倒装芯片的半导体器件，其特征在于，包括：包含第一芯片安装区和第二芯片安装区的基座及一个形成在基座中的切口，并且在第一芯片安装区中形成有一个凹槽；其中，切口将第一芯片安装区分割成横向延伸的横向基座及纵向延伸的纵向基座，并且切口延伸至凹槽中从而将凹槽分割成形成在横向基座中的横向槽体及形成在纵向基座中的纵向槽体，并还在该凹槽中形成有多个金属凸块；以及设置在第一芯片安装区附近的第一类引脚、第二类引脚和第三类引脚；第一类引脚包含第一外部引脚及与第一外部引脚连接的第一引脚焊区，且第一引脚焊区包含第一横向延伸部分及与第一横向延伸部分连接的第一纵向延伸部分；第二类引脚包含第二外部引脚及与第二外部引脚连接的第二引脚焊区，且第二引脚焊区包含第二横向延伸部分及与第二横向延伸部分连接的第二纵向延伸部分；第三类引脚包含第三外部引脚及与第三外部引脚连接的第三引脚焊区；其中，第二横向延伸部分延伸至所述切口中，并且第二纵向延伸部分沿着切口与第二芯片安装区交界的边缘设置，且第一横向延伸部分设置在邻近纵向基座的位置，及第一纵向延伸部分位于靠近第二纵向延伸部分的位置；以及倒装焊接在所述金属凸块和第二横向延伸部分上的第一芯片，位于第一芯片的正面的第一芯片的第一、第二电极分别焊接在第二横向延伸部分和金属凸块上；第一芯片背面的第三电极连接到第一类引脚上的第一金属连接片，第一金属连接片包含第一金属片、第一连接结构及第一焊片，第一连接结构将第一金属片与第一焊片连接在一起，第一金属片粘贴在第一芯片的第三电极上，第一焊片焊接在第一横向延伸部分上；粘贴在第一金属片上的第二芯片，并且位于第二芯片背面的第二芯片的第三电极粘贴在第一金属片上；第二芯片正面的第二电极连接到第三类引脚上的第二金属连接片，第二金属连接片包含第二金属片、第二连接结构及第二焊片，第二连接结构将第二金属片与第二焊片连接在一起，第二金属片与第二芯片的第二电极焊接在一起，第二焊片焊接在邻近横向基座的第三引脚焊区上；粘贴在第二芯片安装区的第三芯片，并且部分设置在第三芯片正面的信号端子通过键合引线分别与第一、第二纵向延伸部分、第二芯片安装区、位于第二芯片正面的第二芯片的第二电极和第一电极进行电性连接。