| 发明名称 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，方法包括：在衬底基板上依次形成栅线图形，栅绝缘层，有源层图形，源、漏电极及数据线图形，钝化层图形；在形成有所述钝化层的衬底基板上形成透明导电薄膜，由一次构图工艺形成包括像素电极、公共电极的图形，其中，所述像素电极与所述漏电极连接。本发明的方案可以减少制作薄膜晶体管阵列基板的工艺步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN103107140A | 申请公布日期 | 2013.05.15 |
| 申请号 | CN201310031368.X | 申请日期 | 2013.01.28 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 李凡;董向丹 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L23/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 黄灿;安利霞 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S11，在衬底基板上依次形成栅线图形，栅绝缘层，有源层图形，源、漏电极及数据线图形，钝化层图形；S12，在形成有所述钝化层的衬底基板上形成透明导电薄膜，由一次构图工艺形成包括像素电极、公共电极的图形，其中，所述像素电极与所述漏电极连接。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||