| 发明名称 | 非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法，所述非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法包括：提供基板；在所述基板的表面形成第一电极层；在所述第一电极层表面形成第一掺杂类型非晶硅层；在所述第一掺杂类型非晶硅层表面形成第一应力层，并进行退火处理，所述第一应力层的应力类型与第一掺杂类型非晶硅层的掺杂类型相对应；去除所述第一应力层；在所述第一掺杂类型非晶硅层表面形成本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层表面形成第二掺杂类型非晶硅层；在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成第二电极层。所述非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，能够提高非晶硅薄膜太阳能电池的效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103107245A | 申请公布日期 | 2013.05.15 |
| 申请号 | CN201210529317.5 | 申请日期 | 2012.12.06 |
| 申请人 | 杭州赛昂电力有限公司 | 发明人 | 杨瑞鹏;韩启成;刘祥超;吴佩莲;杨振凯 |
| 分类号 | H01L31/20(2006.01)I;H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0376(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板的表面形成第一电极层；在所述第一电极层表面形成第一掺杂类型非晶硅层；在所述第一掺杂类型非晶硅层表面形成第一应力层，并进行退火处理，所述第一应力层的应力类型与第一掺杂类型非晶硅层的掺杂类型相对应；去除所述第一应力层；在所述第一掺杂类型非晶硅层表面形成本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层表面形成第二掺杂类型非晶硅层；在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成第二电极层。 | ||
| 地址 | 311215 浙江省杭州市萧山江东新城开发区江东二路2728号 | ||