发明名称 |
碳化硅粉体表面包覆金刚石或类金刚石薄膜的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种在碳化硅粉体表面包覆一层金刚石或类金刚石薄膜的方法:以碳化硅粉体作为基底材料,将其浸渍于生物质衍生碳质中间相乙醇溶液中;或者在生物质衍生碳质中间相乙醇溶液中引入催化剂;一边搅拌,同时超声数分钟,静置后分层,倒去溶液后,过滤,烘干,得到浸渍后的碳化硅粉体;将得到的包覆中间相的碳化硅粉体置于气氛炉中热处理,即得表面包覆金刚石或类金刚石薄膜的碳化硅粉体材料。该制备工艺简单,无需高温高压,成本低。 |
申请公布号 |
CN103102163A |
申请公布日期 |
2013.05.15 |
申请号 |
CN201110355707.0 |
申请日期 |
2011.11.11 |
申请人 |
上海交通大学;新疆龙海硅业发展有限公司 |
发明人 |
赵斌元;赖奕坚;宁月生;胡晓斌;范同祥;郝旷忠 |
分类号 |
C04B35/628(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B41/50(2006.01)I;C04B41/85(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/628(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
许亦琳;余明伟 |
主权项 |
一种金刚石或类金刚石薄膜包覆的碳化硅粉体的制备方法,包括如下步骤:1)以碳化硅粉体、生物质衍生碳质中间相和乙醇为起始材料,将碳化硅粉体浸渍于生物质衍生碳质中间相的乙醇溶液中;边搅拌边超声,静置后分层,过滤,烘干,得到浸渍后的碳化硅粉体;2)将步骤1)得到的粉体置于氢气气氛下热处理,即得表面包覆金刚石薄膜的碳化硅粉体材料。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |