半导体制造方法

摘要

一种存储器位单元包括：锁存器，与锁存器相连接的写端口，以及与锁存器相连接的读端口。写端口包括：具有第一阈值电压的第一组器件和具有第二阈值电压的第二组器件，第二阈值电压大于第一阈值电压。读端口包括：具有第三阈值电压的第三组器件，第三阈值电压小于第一阈值电压。本发明还提供了一种半导体制造方法。

主权项

一种存储器位单元，包括：锁存器；写端口，与所述锁存器相连接，包括具有第一阈值电压的第一组器件，和具有第二阈值电压的第二组器件，所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压；以及读端口，与所述锁存器相连接，包括具有第三阈值电压的第三组器件，所述第三阈值电压小于所述第一阈值电压。