多芯片组件同质键合系统批生产性改进方法

摘要

本发明公开了提高陶瓷厚膜多芯片组件同质键合系统批生产性的方法，它是采用整体化学机械抛光方法来实现的，先通过旋转式抛光机对整个金导带及键合区进行整体抛光，再用机械掩模的方法在键合区表面形成一层淀积的铝薄膜，按常规集成工艺，将芯片、片式元器件集成在处理后的成膜基片上，半导体芯片的键合采用硅-铝丝键合，管脚与基片之间采用金丝键合；使陶瓷基片顶层表面上的所有键合区表面平整度同时控制在≤0.1μm。本发明金键合区表面一次性抛光整平，同步提高了基片与管脚端面金-金键合的可靠性;改善厚膜金导带键合区与硅铝丝的键合性能，形成高可靠同质键合系统,提高多芯片组件长期充分可靠工作的能力;提高多芯片组件的批量生产性。

主权项

提高陶瓷厚膜多芯片组件同质键合系统批量生产性的方法，其特征在于它是采用整体化学机械抛光方法来实现的，具体做法是：选择旋转式抛光垫和贵金属抛光液，通过旋转式抛光机对整个金导带及键合区进行整体抛光，使其表面平整度≤0.1μm；然后，再进行电阻浆料的印刷、烧结和调阻；接着采用机械掩模的方法，在高真空溅射台或蒸发台中，使已抛光的键合区表面形成一层淀积的铝薄膜、或镍‑铬‑铝或铬‑铜‑铝复合薄膜；最后，按常规混合集成电路集成工艺，将半导体芯片、片式元器件集成在处理后的成膜基片上，半导体芯片的键合采用硅‑铝丝键合，管脚与基片之间采用金丝键合，即可实现质量一致性好、可靠性高的金‑金、铝‑铝同质键合；使低温共烧陶瓷基片顶层表面上的所有键合区表面的平整度同时控制在≤0.1μm。