| 摘要 |
<p>본 발명의 실시예들은 상변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 일 실시예에 따른 상변화 메모리 소자의 제조 방법은, 기판 상에 콘택 홀을 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막의 상기 콘택 홀을 채우도록, 상기 층간 절연막 상에 상변화 재료층 및 버퍼층을 교번시켜 적층함으로써, 적층된 층 구조 내에 상기 상변화 재료층과 상기 버퍼층 사이의 접촉 계면을 적어도 하나 이상 형성하는 단계; 및 상기 적층된 층 구조를 열처리하여, 상기 콘택 홀 내로 상기 상변화 재료층을 리플로우시키는 단계를 포함한다.</p> |
