发明名称 METHOD OF DEPOSITING TUNGSTEN FILM WITH REDUCED RESISTIVITY AND IMPROVED SURFACE MORPHOLOGY
摘要 <p>텅스텐 필름의 비저항 및 형태를 제어하는 방법이 제공되며, 그러한 방법은 제 1 증착 스테이지 중에, (ⅰ) 기판의 표면 상에 텅스텐을 증착하기 위해서, 환원 가스의 연속적인 유동 및 텅스텐-함유 화합물의 펄스형 유동을 프로세스 챔버로 도입함으로써, (ⅱ) 챔버를 퍼지하기 위해서, 텅스텐-함유 화합물을 유동시키지 않고 환원 가스를 챔버 내로 유동시킴으로써, 그리고 (ⅲ) 제 1 필름이 기판 표면 내의 비아를 충진할 때까지 상기 (ⅰ) 및 (ⅱ)를 반복함으로써, 벌크 텅스텐 층으로 이루어진 제 1 필름을 증착하는 단계, 상기 프로세스 챔버 내의 압력을 높이는 단계, 그리고 상기 제 1 증착 스테이지 이후의 제 2 증착 스테이지 동안에, 제 2의 희망 두께가 증착될 때까지 텅스텐-함유 화합물 및 환원 가스의 연속적인 유동을 프로세스 챔버 내로 도입함으로써 벌크 텅스텐 층으로 이루어진 제 2 필름을 증착하는 단계를 포함한다.</p>
申请公布号 KR101263856(B1) 申请公布日期 2013.05.13
申请号 KR20117017875 申请日期 2009.12.15
申请人 发明人
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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