| 摘要 |
<p>본 발명은, 다수의 메모리 셀 블럭들을 포함하는 반도체 장치를 제공하는 단계; 프로그램 명령에 따라 상기 메모리 셀 블럭들 중 하나의 메모리 셀 블럭을 선택하는 단계; 상기 선택된 메모리 셀 블럭의 메모리 셀들의 문턱전압이 포지티브의 제1 전압과 네거티브의 제2 전압 사이에 분포하도록 프리 프로그램 동작 및 프리 소거 동작을 수행하는 단계; 상기 선택된 메모리 셀 블럭의 선택된 비트라인들에는 프로그램 허용전압을 인가하고, 나머지 비선택된 비트라인들에는 프로그램 금지전압을 인가하는 단계; 및 상기 선택된 메모리 셀들에 연관된 워드라인에 포지티브의 프로그램 전압을 인가하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 동작 방법으로 이루어진다.</p> |
