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<p>채널 부스팅을 이용하지 않고 신뢰성 있게 동작 가능한 비휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법이 제공된다. 비휘발성 메모리 소자에서, 복수의 메모리 트랜지스터들은 반도체 기판 상에 낸드 스트링으로 배치된다. 스트링 선택 트랜지스터 및 접지 선택 트랜지스터는 상기 복수의 메모리 트랜지스터들 양단의 상기 반도체 기판 상에 각각 배치된다. 그리고, 비트 라인은 상기 스트링 선택 트랜지스터 외측의 상기 반도체 기판 및 상기 접지 선택 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 연결된다.</p> |
