| 摘要 |
本创作系一种能将晶片维持于同一液面中进行蚀刻之蚀刻槽，包括一槽体、二挡板及一输送装置，该槽体底部设有一入水口，使一蚀刻液能由该入水口注入至该槽体内之容置空间，且该槽体上之两对应位置分别开设有一晶片入口及一晶片出口；该等挡板系设于该槽体中，其顶端之水平高度系低于该晶片入口及晶片出口之水平高度，且该蚀刻液在通过该入水口后，系先注入于该等挡板间形成之一区隔空间；该输送装置系设于该槽体中对应于该晶片入口及晶片出口之位置，其底部系抵靠于该等挡板之顶缘，以在该输送装置之顶缘及该区隔空间之顶缘间形成一反应空间，使蚀刻液必须依序注满该区隔空间及该反应空间，始能经由该输送装置顶缘，溢出至其余之容置空间中。如此，在一晶片由该晶片入口被输送至该蚀刻槽内时，即能被该输送装置带动，而使其两对应侧面完全浸入至该反应空间内之蚀刻液中，以进行双面蚀刻反应。 |
