发明名称 半导体装置
摘要 本发明之目的在于提供一种半导体装置和其制造方法,为了减少因接触元件误对准造成的接触阻值的变化。本发明较佳具体实施例包括一非平面电晶体,其中该非平面电晶体包括位于一鳍之中的源极/汲极区域;一层间介电层,位于该非平面电晶体上;以及该些接触元件,穿过该层间介电层以形成到源极/汲极区域。该些接触元件较佳与该鳍的复数个表面接触,以便增加该些接触元件与该鳍之间的接触面积。
申请公布号 TWI396283 申请公布日期 2013.05.11
申请号 TW097107630 申请日期 2008.03.05
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 发明人 余振华;张正宏;叶震南;许育荣
分类号 H01L29/76 主分类号 H01L29/76
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号