发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明之目的在于提供一种半导体装置和其制造方法,为了减少因接触元件误对准造成的接触阻值的变化。本发明较佳具体实施例包括一非平面电晶体,其中该非平面电晶体包括位于一鳍之中的源极/汲极区域;一层间介电层,位于该非平面电晶体上;以及该些接触元件,穿过该层间介电层以形成到源极/汲极区域。该些接触元件较佳与该鳍的复数个表面接触,以便增加该些接触元件与该鳍之间的接触面积。 |
申请公布号 |
TWI396283 |
申请公布日期 |
2013.05.11 |
申请号 |
TW097107630 |
申请日期 |
2008.03.05 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
余振华;张正宏;叶震南;许育荣 |
分类号 |
H01L29/76 |
主分类号 |
H01L29/76 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |