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发明名称
半导体装置之制造方法及半导体制造设备
摘要
一种制造半导体装置的方法具有研磨一薄膜,及藉由执行把一研磨表面第一曝露于一具有蚀刻该研磨表面之至少一个部份区域之效果之酸性第一清洗流体,及在该第一曝露之后把该研磨表面第二曝露于一硷性第二清洗流体来清洗该研磨表面。
申请公布号
TWI396232
申请公布日期
2013.05.11
申请号
TW097107646
申请日期
2008.03.05
申请人
富士通半导体股份有限公司 日本
发明人
井谷直毅
分类号
H01L21/304
主分类号
H01L21/304
代理机构
代理人
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项
地址
日本
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