发明名称 包括不连续储存单元之电子装置
摘要 本发明提供一种电子装置,其可包括一具有一渠沟之基板,该渠沟包括一壁及一底部。该电子装置亦可包括一上覆于该基板之一主要表面的第一组不连续储存单元及一位于该渠沟内之第二组不连续储存单元。该电子装置亦可包括一第一闸电极,其中大体上该等不连续储存单元中没有一者位于在该第一闸电极之一上表面与该基板之该主要表面之间的高度处沿该渠沟之该壁之处。该电子装置亦可包括一上覆于该第一闸电极及该主要表面之第二闸电极。在另一实施例中,一导线可电连接至一或多列或行之记忆体单元,且另一导线可电连接至更多列或更多行之记忆体单元。
申请公布号 TWI396257 申请公布日期 2013.05.11
申请号 TW095127049 申请日期 2006.07.25
申请人 飞思卡尔半导体公司 美国 发明人 高利珊卡L 琴德洛;钟M 洪;克雷格T 史威特
分类号 H01L21/8239 主分类号 H01L21/8239
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国