具有下表面沟道电荷补偿区域的半导体装置及方法

摘要

在一个实施例中，形成半导体装置，其具有接近装置沟道区的下表面电荷补偿区。电荷补偿沟道沟道包括至少二相反导电类型半导体层。沟道连接区域将该沟道区与该至少二相反导电类型半导体层中的一个电偶合。