提供电性隔离之方法及包含该方法之半导体结构

摘要

本发明揭示在一半导体结构中隔离闸极之方法。在一实施例中，使用一间隔材料结合具有实质上垂直之侧壁的鳍状物来达成隔离。在另一实施例中，在该半导体结构之制造中所利用之各种材料的蚀刻特性用以增大一有效闸极长度(「Leffective」)及一场闸氧化物。在又一实施例中，一V形渠沟形成于该半导体结构中以增大该Leffective及该场闸氧化物。本发明亦揭示藉由此等方法形成的半导体结构。