| 摘要 |
一种半导体记忆体之电容下电极制造方法，包括下列步骤：提供一堆叠结构，该堆叠结构包含有一介电层、一第一氮化矽层及一硬质遮罩层，该第一氮化矽层位于该硬质遮罩层及介电层之间，该硬质遮罩层位于第一氮化矽层上；蚀刻局部之硬质遮罩层、第一氮化矽层及介电层，以形成多数个凹部；沉积一第二氮化矽层于该硬质遮罩层及凹部内；蚀刻局部之第二氮化矽层、硬质遮罩层及介电层，以形成多数个穿孔；于每一穿孔内形成一电容下电极，蚀刻局部之第一氮化矽层、第二氮化矽层、介电层及电容下电极，以形成一蚀刻区；以及由该蚀刻区蚀刻去除介电层，藉此每一电容下电极之周缘围绕贴附有该第二氮化矽层，用以增加每一电容下电极之支撑力，防止电容下电极崩塌或变形。 |
