记忆体元件之操作方法

摘要

本发明之一实施例提供一种记忆体元件之操作方法，此记忆体元件具有一源极、一汲极、一通道区位于源极和汲极间、具有一电荷储存层之一闸极介质位于通道区之上、及一闸极位于闸极介质之上，其中源极、汲极与通道区位于一基底中。此操作方法包括于记忆体元件之闸极与汲极间施以一逆向偏压，以于基底接近汲极处产生能带对能带热电洞，且将能带对能带热电洞注入至记忆体元件之电荷储存层的一汲极端中，以及对记忆体元件进行一写入/抹除之操作。位于电荷储存层之汲极端中的能带对能带热电洞不会受到写入/抹除之操作而完全消失。