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发明名称
微机电结构的制造方法
摘要
在此揭露一种微机电结构的制造方法,其包括以下步骤:(1)形成电路层于第一基板之上表面,电路层包括微结构以及释放特征结构;(2)形成抗蚀刻层于电路层上,抗蚀刻层不覆盖释放特征结构;(3)藉由湿蚀刻制程移除释放特征结构,以露出第一基板;(4)非等向性蚀刻露出的第一基板之一部分;(5)配置第二基板于电路层上方;(6)形成一孔洞于该第一基板之该下表面;(7)填充一高分子材料于该孔洞中;以及(8)释放该微机电结构。
申请公布号
TWI395707
申请公布日期
2013.05.11
申请号
TW099111316
申请日期
2010.04.12
申请人
汉积科技股份有限公司
发明人
陈晓翔
分类号
B81C1/00;H01L21/306
主分类号
B81C1/00
代理机构
代理人
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址
新竹市水源街93号5楼之1 TW 5F.-1, NO. 93, SHUEIYUAN ST., EAST DIST., HSINCHU CITY 300, TAIWAN, R. O. C.
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