矽晶圆及其制造方法

摘要

本发明提供一种矽晶圆，其包括：一第一剥蚀区，其经形成具有始于该矽晶圆之一顶面的一预定深度；及一本体区域，其形成于该第一剥蚀区与该矽晶圆之一背面之间，其中该第一剥蚀区经形成具有范围为始于该顶面的大致20微米至大致80微米之一深度，且其中该本体区域中氧之一浓度遍及该本体区域以10%内之变化均匀分布。