III族氮化物基化合物半导体之制造方法、包含III族氮化物基化合物半导体之晶圆、及III族氮化物基化合物半导体装置

摘要

一种具有m平面主表面以及均匀取向结晶轴的Ⅲ族氮化物基化合物半导体。;在蓝宝石基板的a平面主表面上形成具有侧表面的凸部(mesa)，此侧表面具有偏离c平面45°以下的偏离角。接着，在300℃到420℃下供应三甲基铝，藉以形成具有40以下之厚度的铝层。对此铝层进行氮化(nitridation)，以形成氮化铝层。透过此程序，在具有a平面主表面的蓝宝石基板中，Ⅲ族氮化物基化合物半导体仅从凸部的侧表面进行磊晶成长，此侧表面具有偏离c平面45°以下的偏离角。因此，可形成具有平行于蓝宝石基板之主表面之m平面的Ⅲ族氮化物基化合物半导体。