堆叠式随机动态存取记忆体之低寄生电容位元线之制造方法

摘要

一种堆叠式随机动态存取记忆体之低寄生电容位元线之制造方法，包括以下步骤：提供半导体基底，该半导体基底具有氧化物、多数个字元线堆叠层、多数个位元线堆叠层及多数个多晶矽；对半导体基底上表面涂上多层阻挡覆盖层；去除该多层阻挡覆盖层，并进一步去除部份位于该些多晶矽上方之氧化物，以形成该些多晶矽外露之接触孔；沉积氧化层；对氧化层进行蚀刻，形成氧化层间隙壁；沉积多晶矽层；对多晶矽层进行黄光微影、蚀刻，剩下呈柱状的多晶矽层形成电容插塞；以及以另一氧化物来填满字元线堆叠层及电容插塞之间的空间。