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发明名称
发光二极体及其制造方法
摘要
提供发光二极体(LED)及其制造方法。LED包括n型半导体层、活性层以及p型半导体层。活性层包括经交替地层压至少两次之井层以及障壁层。障壁层之厚度比井层之厚度至少大两倍。
申请公布号
TWI396300
申请公布日期
2013.05.11
申请号
TW097123368
申请日期
2008.06.23
申请人
首尔OPTO仪器股份有限公司 南韩
发明人
金华睦;吴德焕;金大原;葛大成
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
地址
南韩
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