发明名称 发光二极体及其制造方法
摘要 提供发光二极体(LED)及其制造方法。LED包括n型半导体层、活性层以及p型半导体层。活性层包括经交替地层压至少两次之井层以及障壁层。障壁层之厚度比井层之厚度至少大两倍。
申请公布号 TWI396300 申请公布日期 2013.05.11
申请号 TW097123368 申请日期 2008.06.23
申请人 首尔OPTO仪器股份有限公司 南韩 发明人 金华睦;吴德焕;金大原;葛大成
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
地址 南韩