发明名称 单元电晶体及积体电路
摘要 本发明公开了一种单元电晶体、积体电路及显示系统。单元电晶体包括N型高掺杂(N+)掩埋层(NBL)、与NBL相连的N井、与N井相连的N+层以及多个汲极。N井在NBL形成之后形成。N+层在N井形成之后形成。多个汲极经由N井和N+层与NBL相连。
申请公布号 TWI396180 申请公布日期 2013.05.11
申请号 TW098132225 申请日期 2009.09.24
申请人 凹凸科技国际股份有限公司 英属盖曼群岛 发明人 高荣正;李艳军
分类号 G09G3/36;H01L29/78;H01L27/105 主分类号 G09G3/36
代理机构 代理人 谢振中 台北市松山区民生东路4段54号11楼
主权项
地址 英属盖曼群岛