矽晶体形成方法及其形成装置

摘要

本发明之矽晶体形成方法系坩埚底部施以骤冷之方式，来控制多晶晶粒之生长方向，并使该晶粒形成具有孪生晶界，该孪生晶界系具有相互对称之晶界，由该晶粒单向凝固向上成长而形成之完整多晶矽晶体，使得该多晶矽晶体不易有缺陷及杂质之产生。