氮化镓系发光二极体结构及其制作方法

摘要

一种氮化镓系发光二极体结构及其制作方法，系包括一基板；至少一氮化镓系层，其系位于该基板之上方；于该氮化镓系层之上方，依序形成一n型氮化镓系超晶格结构与n型氮化镓系层所组成之介面隔离结构及一氮化镓系发光层；一p型氮化镓系层，其系形成于该氮化镓系发光层之上方。本发明系藉由降低温度及调整磊晶反应腔环境，于纯氮气且低温下，磊晶成长该介面隔离结构及该发光层，进而达到提升辐射复合之效率。